北京时间11月25日消息，英特尔和美光今日宣布，由双方联合开发的34纳米32GB多级单元（MLC）NAND闪存产品今日正式投产。
      由双方组建的NAND闪存合资公司IM Flash Technologies开发和研制的34纳米生产工艺是目前市场上的生产工艺，只有这种工艺可以生产出适用于标准48针薄型小尺寸封装（TSOP）的单片32GB NAND芯片。
      与之前的计划相比，34纳米产品投产的时间略有提前。英特尔和美光希望可以在年底之前将一半的产能转移到34纳米工艺。
      美光内存业务副总裁Brian Shirley表示：“我们在NAND工艺技术上取得了长足的进步，现在我们已经站在34纳米生产工艺的的位置上。有了34纳米32GB微型芯片，客户们可以很容易地提高许多消费者和计算产品的NAND存储容量。”
      英特尔副总裁兼NAND解决方案集团总经理Randy Wilhelm表示：“34纳米生产工艺的研发进程超出了我们的预期。”
      这类芯片采用300mm硅片，尺寸比一块拇指甲还要小一些，预计很快就会应用到数码相机、音乐播放器、数码摄像机和大容量固态存储产品上。
      英特尔和美光还打算在2009年初开始研制基于34纳米生产工艺的低密多级单元（MLC）和单级单元（SLC）产品。（编译/林靖东）