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4-4-3-4低时序 上风1GB/800内存评测

更新时间: 2007-01-15 13:42:42来源: 粤嵌教育浏览量:938

       ● DDR2-800平价时代

       Intel Core 2 Duo/Extreme系列处理器的问世,不仅代表着Intel桌面处理器核心架构改朝换代,在同步问世的965 Express系列芯片组带动下,Intel桌面平台正式宣告进入DDR2-800时代。加上之前AMD推出Socket AM2系统,如此两大处理器厂商以实际产品的配合真正确立了JEDEC规格--DDR2 800的主流地位。

       包装精美的Kuk DDR2-800 1GB内存模组

       随着DRAM制造商大量生产芯片,DDR2-800内存目前已经从刚推出时的发烧品走下神坛,成为普通用户可以纳入考虑的基本配件,即使终成品的价格仍高于DDR2-533/667产品,但幅度已经让人容易接受。新年伊始,行业新秀原动力公司适时宜的推出了上风DDR2-800 GB内存模组,吸引人。

       ● 关于上风(Kuk)和原动力公司

       上风(Kuk)内存模组来自原动力国际有限公司,这家计算机贸易及实业公司成立于2001年,经营范围为计算机周边产品的研发及销售,主要生产加工内存模组和CPU散热器器,同时也进行销售CPU的业务。

       原动力国际有限公司内存制造厂

       这家公司成功建立了全球一体化的服务内容,同时为全方位发展,在2002年增设了两间厂房。间是位于香港的内存加工厂,扩大自身的内存(KUK RAM)生产;第二间是位于国内的风扇厂房,主要生产计算机CPU散热器。
 
        ● Kuk DS2-800D16-1G

       Kuk DDR2 800

       Kuk DDR2 800坚持采用原厂顶极颗粒打造并符合欧洲RoHS规范,容量可达1GB,配合双通道内存配置的平台,足以因应3D游戏玩家平台的高容量诉求。而和DDR2-667相比,DDR2-800的标准CAS Latency同为5,同时理论带宽却从5.3GB/s大幅提升到6.4GB/s,因此只要条件允许,选择DDR2-800要更为合算。

       ● 内存外部详情

       我们拿到的Kuk DDR2-800 1GB内存模组型号为DS2-800D16-1G,non-ECC unbuffered 240pin DIMM规格。DS2-800D16-1G为双面双rank配置,16枚芯片分别贴装在绿色PCB的正反两面,产品整体做工用料都很不错。

       6层PCB打造 内存电气性能有保证

       这款内存的PCB为多种尺寸FBGA芯片通用型,存储SPD信息的EPROM芯片位于模组PCB正面中央。上风Kuk内存产品实行终身质保政策,用户尽可放心使用。

       清新的绿树?Kuk产品标签部分很有风格

       DS2-800D16-1G的产品标签配色相当时尚,提供的信息包括产品型号、编号、容量、运行频率和组装地,只是缺少运行时序。这款产品是符合欧洲RoHS规范的,但这里并没有注明,难道是用那棵绿树代表了......

       内存模组使用标识为Kuk logo的DRAM芯片

       据原动力官方资料,这款内存使用110nm工艺芯片,能够看到这些芯片使用了FBGA方式封装,但表面的标识已经是mark成Kuk的logo,无法了解DRAM颗粒原厂信息,只能根据模组位宽和容量判断出它们是512Mbit规格,64Mx8组织方式。

       ● 内存SPD信息和时序对性能的影响

       DS2-800D16-1G 的CPU-Z SPD页截图

       CPU-Z 1.38显示的Kuk DS2-800D16-1G SPD信息基本完整,只是缺少了制造商和产品型号、编号。内存时序表部分设定齐全,模组在DDR2-400下的时序为3-3-3-8,DDR2-533时是4-4-4-11,DDR2-800为5-5-5-16,都是中规中矩的标准JEDEC规格。

       影响到内存系统性能的原因多样,在外部主要是位于主板芯片组内的或者位于CPU内部的内存控制器决定,内存本身的性能影响因素包括频率和延迟两个方面,其中延迟在应用中将以时序参数的设定来体现。以DDR SDRAM/DDR2 SDRAM的SPD内部规定的时序参数为例,类似“3-3-3-8”的标称中的4个数字的含义依次为:

       CAS Latency,内存CAS延迟时间。

       RAS-to-CAS Delay(tRCD),内存行地址传输到列地址的延迟时间。

       Row-precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间。

       Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。

       这是玩家关注的4项时序调节,在大部分主板的BIOS中可以设定。在AMD K8处理器平台和部分非Intel设计的对应Intel处理器芯片组上,还支持内存模组的CMD 1T/2T Timing调节,通常认为这一部分设定对内存性能影响较大,其重要性等同于CAS Latency设定。

       来源:中关村在线

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