虽然DRAM及NAND面临产能过剩的价格下跌压力，不过记忆体大厂间为了维持市占率，至今仍维持原计划扩大产能及兴建新十二寸厂，也因此随着新产能在八月后陆续开出，DRAM及NAND价格愈挫愈低，均报出今年格。只是上游记忆体厂坐困愁城，下游封测厂仍吃香喝辣，由于包括力成、南茂、矽品、日月鸿等在内的封测厂，今年新增产能仍追不上上游扩产幅度，所以现在产能利用率仍满载，连探针卡供应商FormFactor、旺矽等亦接单满载。
       为了维持基本市场占有率，岛内外记忆体大厂均未减缓扩产速度，如三星、海力士、尔必达、东芝、IM Flash等，新十二寸厂仍在增加产能阶段，南亚科、瑞晶、茂德等台湾业者，则持续加速新厂建置工程，希望年底前就可开出二万片至三万片左右月产能。当然，为了降低单位生产成本，DRAM制程已微缩至七○奈米，NAND制程则微缩至六○奈米以下，当然随着新制程良率提升，颗粒产出量已有快速提升迹象。
       只不过以目前五一二Mb DDR2平均约一．四美元价格，及八Gb NAND平均约六．七美元价格来看，记忆体厂的获利情况并不如预期般好，单纯生产DRAM的业者，更处于每天开门就亏损数千万元的状态下。只是上游晶圆厂度小月，以量取胜的下游封测厂，虽有平均接单价格下滑压力，但至少因上游新产能大量开出，产能利用率现在仍维持满载，毛利率及获利都还有成长空间。
       以岛内记忆体大厂力成为例，公司虽预估第三季及第四季的营收季增率，应介于七％至九％间，不过随着茂德、东芝等上游记忆体厂大客户新增产能陆续涌入，力成产能利用率一直维持满载。外资圈就传出，虽然第三季及第四季的记忆体封测平均接单价格仍下滑约五％至一○％，但因接单量上升速度高于预期，因此力成第三季及第四季的营收季增率均会大于一成，毛利率亦可因利用率维持满载而保持在三○％，营运成绩可圈可点。