DRAM市况相对稳定,使得力晶五月份营收再递创历史新高记录,加上12寸晶圆量产效应持续发酵,力晶说 六月份还会有新表现,订单能见度已看到今年底。
继取得日本瑞萨半导体4GB的快闪记忆体授权,力晶扩张势力版图动作更积极,五月份营收如市场预期创下63亿元的新记录后,力晶再预言六月份表现还会再刷新记录, NANDFLASH落后1-2个世代产能完全爆炸到年底前已无多余产能 2008年就会赶上 力晶指出,快闪记忆体一开始就以90奈米制程投片,目前每月产能五千片,第三季后,每月再新增3-5000片扩产,到年底前就会达到二万片规模,占总产能的五分之一,丁振铎说,快闪记忆体价格已经开始调涨,预估会重新启动DRAM排挤效应,DRAM下半年看好,第三季还有可能缺货,在整个DRAM的技术台湾厂商是非常有机会以12寸晶圆投产是所有厂商一致的共识 力晶表示,DRAM从今年到2008年全球总产出,将会是以13.8%、7.1%、和8.9%的成长幅度增加,到2009全球DRAM就会发生缺货,因此价格从今年起会稳定向上,另外,台湾各DRAM厂集中以12寸晶圆投产效应,在2008年市占率就会超过韩国厂商。
供不应求 力晶:年底前产能爆
更新时间: 2006-06-13 19:12:47来源: 粤嵌教育浏览量:1572